參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2C02E
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Power MOSFET 2.5 Amps, 25 Volts(2.5A，25V，雙功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道+P溝道）)
中文描述： 雙功率MOSFET2.5安培，25伏（包2.5a，25V的，雙功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道P溝道））
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 140K
代理商： MMDF2C02E
MMDF2C02E
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Note 1.)
Characteristic
Symbol
Polarity
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS – continued
(Note 4.)
Total Gate Charge
QT
(N)
(P)
–
–
10.6
10
30
15
nC
Gate–Source Charge
(VDS = 16 Vdc, ID = 2.0 Adc,
VGS = 10 Vdc)
Q1
(N)
(P)
–
–
1.3
1.0
–
–
Gate–Drain Charge
Q2
(N)
(P)
–
–
2.9
3.5
–
–
Q3
(N)
(P)
–
–
2.7
3.0
–
–
SOURCE–DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C)
Forward Voltage (Note 3.)
(IS = 2.0 Adc, VGS = 0 Vdc)
(IS = 2.0 Adc, VGS = 0 Vdc)
VSD
(N)
(P)
–
–
1.0
1.5
1.4
2.0
Vdc
Reverse Recovery Time
see Figure 7
trr
(N)
(P)
–
–
34
32
66
64
ns
(IF = IS,
ta
(N)
(P)
–
–
17
19
–
–
dIS/dt = 100 A/
μ
s)
tb
(N)
(P)
–
–
17
12
–
–
QRR
(N)
(P)
–
–
0.025
0.035
–
–
μ
C
1. Negative signs for P–Channel device omitted for clarity.
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
4. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDF2C03HD Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO8, Dual(2A,30V,SO-8,N/P溝道功率雙MOSFET)
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MMDF3N04HD Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts N Channel SO8, Dual(3A,40V,SO-8,N溝道功率雙MOSFET)
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參數(shù)描述
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MMDF2C03HDR2G 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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