參數(shù)資料
型號： MPS6651
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 246K
代理商： MPS6651
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 1000 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1000 mAdc, IB = 100 mAdc)
hFE
50
50
30
—
—
—
—
VCE(sat)
—
0.6
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
1.2
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Cobo
—
30
pF
Delay Time
tp
300 ns Duty Cycle)
td
tr
ts
tf
—
25
ns
Rise Time
(VCC = 40 Vdc, IC = 500 mAdc,
IB1 = 50 mAdc,
—
30
ns
Storage Time
—
250
ns
Fall Time
—
50
ns
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURN–ON TIME
–1.0 V
VCC
+40
V
RL
* CS
6.0 pF
RB
100
100
Vin
5.0 F
tr = 3.0 ns
0
+10
V
5.0 s
OUTPUT
TURN–OFF TIME
+VBB
VCC
+40
V
RL
* CS
6.0 pF
RB
100
100
Vin
5.0 F
tr = 3.0 ns
5.0 s
* Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors
For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
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參數(shù)描述
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MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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