參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： MPSA06
M
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEO
Collector-Cutoff Current
I
CBO
Collector-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 60 V, I
B
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
80
4.0
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
100
100
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.25
1.2
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Spice Model
NPN (Is=8.324f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=12.16K Ne=1.368 Ise=73.27f Ikf=.1096 Xtb=1.5 Br=11.1 Nc=2 Isc=0
Ikr=0 Rc=.25 Cjc=18.36p Mjc=.3843 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=55.61p Mje=.3834 Vje=.75 Tr=72.15n Tf=516.1p Itf=.5
Vtf=4 Xtf=6 Rb=10)
Typical Characteristics
I
C
= 10 mA, V
CE
= 2.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 33
0.1
1
10
100
1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P 33
0.001
0.01
0.1
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
- 40 oC
25 °C
V = 1V
125 °C
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PDF描述
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MPSA06 T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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