參數(shù)資料
型號: MPSA06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 146K
代理商: MPSA06
M
Typical Characteristics
(continued)
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
20
50
100
100
150
200
250
300
350
400
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
Vce
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-223
TO-92
SOT-23
相關PDF資料
PDF描述
MPSA10 NPN Amplifier Transistor
MPSA10 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPSA12 NPN Darlington Transistor
MPSA28 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
MPSA29 NPN Darlington Transistor(NPN達林頓晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2