參數(shù)資料
型號: MPSA06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 146K
代理商: MPSA06
M
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P 33
25
50
75
100
125
0.001
0.01
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE (o
I
C
V = 80 V
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 33
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
- 40 oC
25 °C
125 °C
Collector Saturation Region
4000
10000
20000
30000
50000
0
0.5
1
1.5
2
I - BASE CURRENT (uA)
V
10 mA
100 mA
1 mA
TA
I =
C
C
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
111
112
113
114
115
116
117
RESISTANCE (k )
B
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V - COLLECTOR VOLTAGE(V)
C
C
f = 1.0 MHz
C
ob
ib
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MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2