參數(shù)資料
型號： MRF1511NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： MRF1511NT1
MRF1511NT1 MRF1511T1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Note: Z
OL
* was chosen based on tradeoffs between gain, drain efficiency, and device stability.
Figure 19. Series Equivalent Input and Output Impedance
/
Z
in
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15
resistor and 24 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 10).
Z
OL
* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and
η
D
> 50 %.
f
MHz
Z
in
Z
OL
*
135
20.1
j0.5
2.53
j2.61
Z
in
= Complex conjugate of source
impedance with parallel 15
resistor and 68 pF capacitor in
series with gate. (See Figure 1).
Z
OL
* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and
η
D
> 50 %.
/ .
#
3
/
4'#
!"
/ $
155
17.0 +j3.6
3.01
j2.48
175
15.2 +j7.9
2.52
j3.02
f
MHz
Z
in
Z
OL
*
66
25.3
j0.31
3.62
j0.751
/ .
#
3
/
4'#
!"
/ $
77
25.6 +j3.62
3.59
j0.129
88
26.7 +j6.79
3.37
j0.173
5
,-
0/
0 /
,-
0 /
0 /
5
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PDF描述
MRF1511T1 RF Power Field Effect Transistor
MRF1513NT1 RF Power Field Effect Transistor N&#8722;Channel Enhancement&#8722;Mode Lateral MOSFET
MRF1517NT1 RF Power Field Effect Transistor
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MRF1570FT1 RF Power Field Effect Transistors
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