參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1511T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商： MRF1511T1
A
A
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1511T1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 66 - 88 MHz
5
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
50
0
70
1
4
E
30
60
40
3
2
E
Figure 13. Gain versus Output Power
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
8
10
16
Figure 14. Drain Efficiency versus
Output Power
2
G
1
Figure 15. Output Power versus
Biasing Current
12
I
DQ
,BIASINGCURRENT(mA)
4
Figure 16. Drain Efficiency versus
Biasing Current
80
I
DQ
,BIASINGCURRENT(mA)
Figure 17. Output Power versus
Supply Voltage
5
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
2
Figure 18. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
9
8
5
0
40
60
60
40
400
0
8
14
600
1000
80
6
8
10
12
18
200
50
4
14
P
200
1000
400
600
P
6
9
10
7
6
7
8
10
3
5
4
6
10
12
E
50
70
30
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 25.7 dBm
7
6
9
8
10
66 MHz
77 MHz
88 MHz
20
10
10
6
9
8
7
66 MHz
77 MHz
88 MHz
800
5
11
7
9
66 MHz
77 MHz
88 MHz
V
DD
= 7.5 V
P
in
= 25.7 dBm
V
DD
= 7.5 V
V
DD
= 7.5 V
800
70
66 MHz
77 MHz
88 MHz
V
DD
= 7.5 V
P
in
= 25.7 dBm
66 MHz
77 MHz
88 MHz
66 MHz
77 MHz
88 MHz
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 25.7 dBm
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PDF描述
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