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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1570FT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 11/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 449K |
| 代理商： | MRF1570FT1 |
A
A
MRF1570T1 MRF1570FT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 450 - 520 MHz
9
15
P
out
,OUTPUTPOWER(WATTS)
Figure 25. Gain versus Output Power
Gp
90
0
V
DD
= 12.5 Vdc
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
10
20
30
40
50
70
80
60
14
13
12
11
10
20
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 26. Drain Efficiency versus Output Power
,
η
90
V
DD
= 12.5 Vdc
500 MHz
470 MHz
450 MHz
520 MHz
10
20
30
40
50
70
80
60
60
50
40
30
1600
50
90
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 27. Output Power versus Biasing Current
Po
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 38 dBm
80
70
60
400
800
1200
1600
40
80
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 28. Drain Efficiency versus Biasing Current
500 MHz
450 MHz
470 MHz
520 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 38 dBm
70
60
50
400
800
1200
η
30
100
Figure 29. Output Power versus Supply Voltage
Po
10
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
P
in
= 38 dBm
I
DQ
= 800 mA
450 MHz
470 MHz
500 MHz
11
12
13
14
15
90
80
70
60
50
40
520 MHz
40
80
Figure 30. Drain Efficiency versus Supply Voltage
,
η
10
V
DD
,SUPPLYVOLTAGE(VOLTS)
P
in
= 38 dBm
I
DQ
= 800 mA
470 MHz
11
12
13
14
15
520 MHz
500 MHz
450 MHz
70
60
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF1570NT1 | RF Power Field Effect Transistors |
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參數(shù)描述 |
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| MRF1570NT1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS TO272-6N FORMED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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