參數(shù)資料
型號(hào)： MRF19030LR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 390K
代理商： MRF19030LR3
3
MRF19030R3 MRF19030SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF19030 Test Circuit Schematic
B1 – B5
C1, C7
C2, C8
C3, C5
C4, C6
C9
C10
L1 – L4
R1 – R7
Z1
Z2
Short Ferrite Beads
10 pF Chip Capacitors, B Case
470
μ
F, 35 V Electrolytic Capacitors
0.1
μ
F Chip Capacitors, B Case
5.1 pF Chip Capacitors, B Case
22
μ
F Tantalum Chip Capacitor
0.4 – 2.5 pF Variable Capacitor, Johanson Gigatrim
12.5 nH Inductors
12
Chip Resistors (0805)
0.080
″
x 0.595
″
Microstrip
0.080
″
x 0.600
″
Microstrip
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Substrate
0.080
″
x 0.480
″
Microstrip
0.325
″
x 0.280
″
Microstrip
0.510
″
x 0.200
″
Microstrip
0.510
″
x 0.200
″
Microstrip
0.325
″
x 0.280
″
Microstrip
0.080
″
x 0.480
″
Microstrip
0.080
″
x 0.530
″
Microstrip
0.080
″
x 0.671
″
Microstrip
0.030
″
x 3.00
″
x 5.00
″
Glass Teflon
,
Arlon
Figure 2. MRF19030 Test Circuit Component Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19030LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19045R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19045LR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045LSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF19030R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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