參數(shù)資料
型號： MRF21010
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 360B-05, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MRF21010
3
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF21010L Test Circuit Schematic
RF
INPUT
RF
OUTPUT
Z1
V
GG
C2
C10
C3
+
DUT
V
DD
Z6
Z7
Z8
PCB
0.453
″
x 1.118
″
Microstrip
0.921
″
x 0.154
″
Microstrip
0.925
″
x 0.087
″
Microstrip
Taconic TLX8-0300, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
Z2
C8
C7
Z6
Z7
C6
Z4
R2
C4
C1
Z3
Z8
+
C9
+
R1
C5
Z5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.964
″
x 0.087
″
Microstrip
0.905
″
x 0.087
″
Microstrip
0.433
″
x 0.512
″
Microstrip
1.068
″
x 0.087
″
Microstrip
0.752
″
x 0.087
″
Microstrip
Table 1. MRF21010L Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Value, P/N or DWG
Manufacturer
C1 *
(eared)
(earless)
2.2 pF Chip Capacitor, B Case
1.8 pF Chip Capacitor, B Case
0.5 pF Chip Capacitor, B Case
10
μ
F, 35 V Tantalum Chip Capacitors
1 nF Chip Capacitors, B Case
5.6 pF Chip Capacitors, B Case
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor
10 pF Chip Capacitor, B Case
Type N Connector Flange Mounts
1.0 k Chip Resistor (0805)
12 Chip Resistor (0805)
100B2R2BW
100B1R8BW
100B0R5BW
293D106X9035D2T
100B102JW
100B5R6BW
ATC
ATC
ATC
Sprague-Vishay
ATC
ATC
C2
C3, C9
C4, C7
C5, C6
C8
C10
N1, N2
R1
R2
* Piece part depending on eared / earless version of the device.
100B100GW
3052-1648-10
ATC
Macom
Figure 2. MRF21010L Test Circuit Component Layout
RF Output
C2
C1
C3
C4 C5
R1
R2
C6 C7
C8
C9
C10
C
VGG
VDD
RF Input
CXM0000101
MRF21010
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
MRF21010LR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21010LSR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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