參數(shù)資料
型號： MRF21010
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 360B-05, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MRF21010
5
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 4. Class AB Broadband Circuit Performance
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. W-CDMA ACPR, Power Gain and
Drain Efficiency versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion versus
Output Power
V
DD
, DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
12
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Figure 8. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
22
2000
45
25
13
2140
55
32
10
1
60
2280
15
0
40
10
5
15
20
35
Figure 9. Intermodulation and Gain versus Supply
Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
13.5
14.5
0.1
13.0
12.0
14.0
IMD
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (PEP), I
DQ
= 100 mA
Two Tone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
I
Gp
10
100
V
DD
= 28 Vdc, f = 2140 MHz
Two Tone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
50
40
150 mA
130 mA
100 mA
80 mA
30
V
DD
= 28 Vdc, f = 2140 MHz
Two Tone Measurement,
100 kHz Tone Spacing
100 mA
150 mA
130 mA
80 mA
26
28
30
14
42
38
34
30
,
η
Gp
2080
2110
2200
2170
25
30
35
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IMD
IRL
I
I
G
ps
η
G
ps
,
η
Gp
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS Avg.) WCDMA
30
20
1
2
3.5
25
5
0.5
10
60
20
40
η
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 130 mA, f = 2140 MHz
Channel Spacing 5 MHz, BW 4.096 MHz
(15 Channels)
2.5
1.5
50
G
ps
ACPR
A
15
30
10
0.1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
45
25
55
10
1
60
35
I
50
40
30
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 100 mA, f = 2140 MHz
Two Tone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
3rd Order
7th Order
5th Order
0.1
65
70
20
1
12.5
I
Gp
40
36
32
P
out
= 10 W (PEP), I
DQ
= 100 mA, f = 2140 MHz
Two Tone Measurement, 100 kHz Tone Spacing
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF21010LR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21010LSR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21030SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21030LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF21060S RF MOSFET(射頻MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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