參數(shù)資料
型號(hào)： MRF21010
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 360B-05, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 542K
代理商： MRF21010
7
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360B-05
ISSUE F
NI-360
MRF21010LR1
G
E
C
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
N
MIN
0.795
0.225
0.125
0.210
0.055
0.004
0.562 BSC
0.077
0.220
0.355
0.357
MAX
0.805
0.235
0.175
0.220
0.065
0.006
MIN
20.19
5.72
3.18
5.33
1.40
0.10
14.28 BSC
1.96
5.59
9.02
9.07
MAX
20.45
5.97
4.45
5.59
1.65
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.087
0.250
0.365
0.363
2.21
6.35
9.27
9.22
Q
R
S
0.125
0.227
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.135
0.233
0.235
3.18
5.77
5.72
0.13 REF
0.25 REF
0.38 REF
3.43
5.92
5.97
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
Q
2X
M
A
M
aaa
B
M
T
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
aaa
bbb
ccc
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
K
2X
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
M
(INSULATOR)
A
T
N
(LID)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
360C-05
ISSUE D
NI-360S
MRF21010LSR1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
R
MIN
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0.357
0.227
MAX
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0.006
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MIN
9.53
5.72
2.67
5.33
0.89
0.10
1.45
2.16
9.02
9.07
5.77
MAX
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0.15
1.70
MILLIMETERS
INCHES
0.115
0.365
0.363
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9.27
9.22
5.92
E
C
SEATING
PLANE
2
1
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
S
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.235
5.72
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0.25 REF
0.38 REF
5.97
aaa
bbb
ccc
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
M
(INSULATOR)
T
(LID)
A
(FLANGE)
A
K
2X
PIN 3
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
.
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PDF描述
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