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參數(shù)資料
| 型號： | MRF21180 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-1230, CASE 375D-04, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 520K |
| 代理商： | MRF21180 |
5
MRF21180R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF21180 Test Circuit Component Layout
MRF21180
Rev. 4
C1
WB4
WB3
C3
C5
C4
R2
R1
R5
B1
C2
C8
C6
C21
C19
WB1
WB2
C18
C14
C10
C22
R4
R3
C15C11
B1
C20C16C12
C24
C17
C13
C23
C7 C9
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21180R6 | RF Power Field Effect Transistor |
| MRF224 | 40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF240 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF247 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF2628 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF21180R6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF212 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MRF224 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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