參數(shù)資料
型號： MRF377
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 780K
代理商： MRF377
MRF377HR3 MRF377HR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
6.57 - j4.03
660
Figure 19. 470—860 MHz Broadband Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
470
560
5.79 - j2.40
6.63 - j2.63
6.21 - j1.69
5.66 - j1.12
6.76 - j1.00
Optimized for V
DD
= 32 V, I
DQ
= 2 x 1000 mA, P
out
= 45 W Avg., DVBT OFDM
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
Z
o
= 10
f = 470 MHz
f = 860 MHz
f = 860 MHz
f = 470 MHz
Z
load
Z
source
760
860
5.34 - j6.28
6.67 - j4.55
6.57 - j1.91
7.37 - j5.45
Z
o
= 10
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