參數(shù)資料
型號： MRF5P20180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 375D-04, NI-1230, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MRF5P20180R6
MRF5P20180HR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 25
Z
load
f = 1990 MHz
f = 1930 MHz
Z
source
f = 1990 MHz
f = 1930 MHz
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
1930
1960
1990
6.54 - j16.04
13.88 - j20.46
9.70 - j17.92
4.06 - j5.56
3.70 - j5.48
3.64 - j5.76
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 2 x 800 mA, P
out
= 38 W Avg.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P20180 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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