參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21090HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： MRF5S21090HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
0
55
P
out
, POWER (WATTS) WCDMA
I
30
25
25
30
20
35
15
40
5
50
1
10
η
D
G
ps
ACPR
IM3
45
10
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA, f1 = 2135 MHz,
f2 = 2145 MHz, 2 x WCDMA, 10 MHz
@ 3.84 MHz Bandwidth, Peak/Avg. = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
15
20
40
35
η
D
,
p
,
220
10
9
100
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
10
.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
M
2
)
W-CDMA TEST SIGNAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21090HSR3 XTAL MTL T/H HC49/U
MRF5S21100HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21100LR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
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參數(shù)描述
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