- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359217 > MRF5S21090HR3 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司) To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF5S21090HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. |
| 中文描述： | 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | MRF5S21090HR3 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21090HSR3 | XTAL MTL T/H HC49/U |
| MRF5S21100HR3 | To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. |
| MRF5S21100LR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21100LSR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21100HSR3 | To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S21090HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S21090HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21090HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 RF PWR LDMOS NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21090HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 RF LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21090HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 RF LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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