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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S21130HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. |
| 中文描述： | 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | MRF5S21130HR3 |
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21150HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9080NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S9100MR1 | CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014 |
| MRF5S9100MBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9100NBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S21130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21130HS | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF5S21130HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21130HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21130R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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