參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21130HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁數(shù)： 10/12頁
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代理商： MRF5S21130HSR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9080NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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