參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9080NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/20頁(yè)
文件大小： 753K
代理商： MRF5S9080NR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
I
GSS
—
—
500
nAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 600 mAdc, Measured in Functional Test)
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Output Capacitance
(V
DS
=
26
Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
V
GS(Q)
3.5
3.9
4.5
Vdc
V
DS(on)
—
0.27
0.3
Vdc
C
rss
—
1.8
—
pF
C
oss
—
600
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 80 W CW, f = 960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
17
18.5
20
dB
Drain Efficiency
55
60
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-15
-9
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point
P1dB
80
90
—
W
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 550 mA, P
out
= 36 W Avg.,
869-894 MHz, 920-960 MHz GSM EDGE Modulation
Power Gain
G
ps
η
D
—
19
—
dB
Drain Efficiency
—
42
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
2.5
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-77
—
dBc
1. Part is internally matched on input.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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