參數(shù)資料
型號: MRF5S9080NR1
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors
中文描述: 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù): 3/20頁
文件大小: 753K
代理商: MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
1.220
x 0.087
Microstrip
1.110
x 0.087
Microstrip
0.536
x 0.087
Microstrip
0.310
x 0.087
Microstrip
0.430
x 0.591
Microstrip
1.567
x 0.059
Microstrip
0.734
x 0.788
Microstrip
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12, Z13
PCB
0.138
x 0.087
Microstrip
0.411
x 0.087
Microstrip
0.403
x 0.087
Microstrip
0.560
x 0.087
Microstrip
1.693
x 0.087
Microstrip
Taconic TLX8-0300, 0.030
,
ε
r
= 2.55
Figure 1. MRF5S9080NR1(NBR1) Test Circuit Schematic — 900 MHz
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
C10
C1
R1
R2
C4
C7
R3
DUT
C12
C13
C14
Z1
Z2
Z3
Z4
Z6
Z5
C19
C20
C17
C15
Z7
C18
C16
Z12
C8
C5
C2
C21
+
Z8
Z9
Z11
C11
Z10
C9
C6
C3
Z13
Table 6. MRF5S9080NR1(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values — 900 MHz
Part
Description
C1, C2, C3
4.7
μ
F Chip Capacitors (1812)
C4, C5, C6
10 nF 200B Chip Capacitors
C7, C8, C9
33 pF 600B Chip Capacitors
C10, C11
22 pF 600B Chip Capacitors
C12
1.8 pF 600B Chip Capacitor
C13
9.1 pF 600B Chip Capacitor
C14, C17, C18
8.2 pF 600B Chip Capacitors
C15, C16
10 pF 600B Chip Capacitors
C19
4.7 pF 600B Chip Capacitor
C20
3.6 pF 600B Chip Capacitor
C21
220
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor, Axial
R1, R2
10 k
Ω
, 1/4 W Chip Resistors (1206)
R3
10
Ω
, 1/4 W Chip Resistor (1206)
Part Number
Manufacturer
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Philips
C4532X5R1H475MT
200B103MW
600B330JW
600B220FW
600B1R8BW
600B9R1BW
600B8R2BW
600B100FW
600B4R7BW
600B3R6BW
13668221
相關PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray