參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 442K
代理商： MRF5S9100NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
70
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 96 W (PEP), I
DQ
= 950 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 880 MHz
5th Order
3rd Order
1
10
10
20
30
40
50
60
38
48
58
28
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
57
56
55
54
53
52
51
50
49
29
30
31
32
33
34
35
36
37
,
η
D
η
D
100
0
50
1
80
30
G
ps
ACPR
ALT1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, Power
Gain, Efficiency and ALT1 versus Output Power
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 950 mA, f = 880 MHz
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 through 13)
Gp
A
A
45
35
40
40
35
45
30
50
25
55
20
60
15
65
10
70
5
75
10
Ideal
P3dB = 51.58 dBm (143 W)
V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
Actual
P1dB = 50.71 dBm (117 W)
180
17
20
0
V
DD
= 12 V
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain versus Output Power
Gp
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
16 V
20 V
24 V
32 V
19.5
19
18.5
18
17.5
30
60
90
120
150
220
10
10
80
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
100
120
140
160
180
10
9
10
7
10
8
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
M
2
)
200
P
o
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9101MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9101MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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