參數(shù)資料
型號： MRF5S9100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 442K
代理商： MRF5S9100NBR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
865
880
3.0 - j1.8
2.7 - j1.7
2.8 - j1.9
1.4 - j0.7
1.5 - j0.6
1.5 - j0.5
V
DD
=
26 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 20 W Avg.
Z
o
= 5
f = 895 MHz
f = 895 MHz
f = 865 MHz
f = 865 MHz
895
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
相關PDF資料
PDF描述
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
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參數(shù)描述
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
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