參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9100NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 442K
代理商： MRF5S9100NR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
920
6
830
22
70
50
IRL
G
ps
ACPR
ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. IS-95 Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts Avg.
Gp
V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
30
10
20
15
I
I
E
A
25
,
η
D
20
40
18
30
16
20
14
30
12
40
10
50
8
60
840
850
860
870
880
890
900
910
η
D
920
6
830
22
80
10
IRL
G
ps
ACPR
ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. IS-95 Broadband Performance @ P
out
= 2 Watts Avg.
Gp
V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 2 W (Avg.), I
DQ
= 950 mA
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
30
10
20
15
I
I
E
A
25
,
η
D
20
8
18
6
16
4
14
40
12
50
10
60
8
70
840
850
860
870
880
890
900
910
1000
16
21
0.1
I
DQ
= 1425 mA
1150 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
700 mA
950 mA
20
19
18
17
1
10
100
1000
70
20
0.1
I
DQ
= 475 mA
1425 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
V
DD
= 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
950 mA
700 mA
1150 mA
25
30
35
40
45
50
55
60
65
1
10
100
I
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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