參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9100NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 442K
代理商： MRF5S9100NR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
865
880
3.0 - j1.8
2.7 - j1.7
2.8 - j1.9
1.4 - j0.7
1.5 - j0.6
1.5 - j0.5
V
DD
=
26 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 20 W Avg.
Z
o
= 5
f = 895 MHz
f = 895 MHz
f = 865 MHz
f = 865 MHz
895
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9101MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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