參數(shù)資料
型號： MRF5S9101NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： MRF5S9101NBR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
940
10
20
820
20
65
19
60
18
55
17
50
16
45
15
10
14
12
13
14
12
16
11
18
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 100 W CW
Gp
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 700 mA
940
10
20
820
20
45
IRL
G
ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 40 W CW
Gp
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 700 mA
19
40
18
35
17
30
16
25
15
10
14
12
13
14
12
16
11
18
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
910
0
3.5
850
P
out
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Error Vector Magnitude versus
Frequency
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
E
3
2.5
2
1.5
1
0.5
860
870
880
890
900
40 W Avg.
25 W Avg.
100
0
9
1
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 19. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
η
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 880 MHz
EVM
,
η
E
8
50
6
40
5
30
3
20
2
10
10
T
C
= 25 C
I
I
η
D
,
η
D
I
I
η
D
,
η
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P21190HR6 RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P23190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9101NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5S9150HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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