參數(shù)資料
型號： MRF5S9101NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： MRF5S9101NBR1
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
910
82
64
850
SR 400 kHz
P
out
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
S
SR 600 kHz
40 W Avg.
25 W Avg.
P
out
= 50 W Avg.
40 W Avg.
25 W Avg.
66
68
70
72
74
76
78
80
860
870
880
900
890
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
90
80
45
0
T
C
= 25 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 880 MHz
S
10
20
30
40
50
60
70
80
50
55
60
65
70
75
90
85
65
0
T
C
= 25 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 22. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 880 MHz
S
70
75
80
10
20
30
40
50
60
70
80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P21190HR6 RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P23190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9101NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5S9150HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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