參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6522-70R3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： 射頻MOSFET線的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 510K
代理商： MRF6522-70R3
3
MRF6522-70R3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF6522-70 Test Circuit Schematic
R6
R2
R1
C6
C5
C13
C11
C9
C8
C14
C2
Q1
C10
VSUPPLY
RF Output
C12
C3
C4
C7
RF Input
R3
R4
T2
C1
VBIAS
Vreg
T1
Gnd
Vin
Vout
C1
C2
C3
C4, C6, C14
C5
C7, C8, C13
C9, C10
C11, C12
R1
R2
1.0
μ
F Chip Capacitor (0805)
10
μ
F, 35 Vdc Tantalum Capacitor
100 nF Chip Capacitor
22 pF Chip Capacitors, ACCU-P (0805)
2.7 pF Chip Capacitor, ACCU-P (0805)
4.7 pF Chip Capacitors, ACCU-P (0805)
8.2 pF Chip Capacitors, ACCU-P (0805)
2.2 pF Chip Capacitors, ACCU-P (0805)
10
Chip Resistor (0805)
1.0 k
Chip Resistor (0805)
R3
R4
R5
R6
1.2 k
Chip Resistor (0805)
2.2 k
Chip Resistor (0805)
220
Chip Resistor (0805)
5.0 k
SMD Potentiometer
T1
T2
LP2951 Micro-8
BC847 SOT-23
SUBSTRATE GI180 0.8 mm
R5
+
Figure 2. MRF6522-70 Test Circuit Component Layout
R6
C1
R2
R1
C3
C4
C7
R5
C6
C5
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C2
T2
STRAP
V
Ground
V
R4
C14
R3
T1
M
Q1
SUPPLY
BIAS
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF652-A 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF652S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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