參數(shù)資料
型號(hào)： MRF658
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 93K
代理商： MRF658
5
MRF658
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 316–01
ISSUE D
NOTES:
1. FLANGE IS ISOLATED IN ALL STYLES.
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. BASE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
N
Q
R
U
MIN
24.38
12.45
5.97
5.33
2.16
5.08
18.29
0.10
10.29
3.81
3.81
2.92
3.05
11.94
MAX
25.14
12.95
7.62
5.58
3.04
5.33
18.54
0.15
11.17
4.06
4.31
3.30
3.30
12.57
MIN
0.960
0.490
0.235
0.210
0.085
0.200
0.720
0.004
0.405
0.150
0.150
0.115
0.120
0.470
MAX
0.990
0.510
0.300
0.220
0.120
0.210
0.730
0.006
0.440
0.160
0.170
0.130
0.130
0.495
MILLIMETERS
INCHES
4
3
2
1
F
D
R
Q
L
K
E
J
B
A
H
N
C
U
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF6P18190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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