參數(shù)資料
型號: MRF6P21190HR6
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述: RF功率場效應晶體管,N溝道增強型MOSFET的側向
文件頁數(shù): 9/12頁
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代理商: MRF6P21190HR6
MRF6P21190HR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
MRF6P23190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P21190HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P21190HR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P23190H_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P23190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P23190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray