參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P23190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： MRF6P23190HR6
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P23190HR6
Figure 2. MRF6P23190HR6 Test Circuit Component Layout
R1
C
MRF6P23190H
Rev. 3
C12 C11C10* C9*
B1
B2
C5
C2
C1
C6
B3
B4
C13*
C14*
C16 C15
R2
C25
C26
C22
C23 C24
C28
C8
C3
C4
C27
C17
C18 C19
C20 C21
C7
*Stacked.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P24190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P24190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P24190HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P27160H 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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