參數(shù)資料
型號： MRF6P24190HR6
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 370K
代理商： MRF6P24190HR6
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P24190HR6
Z
o
= 25
Ω
Z
load
Z
source
f = 2450 MHz
f = 2450 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1900 mA, P
out
= 190 W CW
f
MHz
Z
source
Z
load
2450
12.72 - j8.48
2.75 - j4.85
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 7. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF6P27160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2700MHZ 35W NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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