參數(shù)資料
型號： MRF6S21100HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： MRF6S21100HSR3
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114-G)
3A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115-A)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101-A)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
V
GS(th)
1
2
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 950 mAdc)
V
GS(Q)
2
2.8
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.2 Adc)
V
DS(on)
—
0.21
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
g
fs
—
5.3
—
S
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.5
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 23 W Avg., f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz, 2-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers, ACPR measured in
3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset. IM3 measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
10 MHz Offset. Peak/Avg. = 8.5 dB @
0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
15
15.9
17
dB
Drain Efficiency
η
D
26
27.6
—
%
Intermodulation Distortion
IM3
—
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-39.5
-38
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-16
-9
dB
1. Part is internally matched both on input and output.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
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參數(shù)描述
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