參數(shù)資料
型號： MRF6S21140HSR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： MRF6S21140HSR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
Figure 2. MRF6S21140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
C16
R2
V
GS
R1
C5
C4
C3
C1
R3
C19
C2
C10
V
DD
C12 C13
C17
C9
C8
C18
C6 C7
C14 C15
C11
C
MRF6S21140H
Rev 0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
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參數(shù)描述
MRF6S21140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21190HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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