參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21140HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： MRF6S21140HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.40 - j3.03
1.34 - j2.52
1.37 - j2.78
7.53 - j10.99
7.57 - j10.67
7.58 - j10.23
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 30 W Avg.
Z
o
= 25
Z
load
*
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
Z
source
2170
2200
1.31 - j2.06
1.32 - j2.28
7.51 - j9.73
7.44 - j9.32
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
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MRF6S23140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S21190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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