- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄359218 > MRF6S23100HR3 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司) RF Power Dield Effect Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S23100HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Dield Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率Dield場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大小： | 416K |
| 代理商： | MRF6S23100HR3 |
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
I
24
12
15
21
2400
2300
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts Avg.
2370
2360
2350
2340
2330
2320
2310
16
43
25.4
24.8
24.2
23.6
35
37
39
η
D
,
E
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
41
18
14.4
η
D
G
p
,
I
I
22
12
16
2400
2300
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 40 Watts Avg.
2370
2360
2350
2340
2330
2320
2310
15.2
35
35.5
35
34.5
34
27
29
31
η
D
,
E
15.1
15
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
25
14
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14.2
η
D
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10
12
18
0.1
I
DQ
= 1500 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
300
G
p
,
16
15
13
1000 mA
750 mA
500 mA
14
100
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2345 MHz
f2 = 2355
MHz, TwoTone Measurements
10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
0
0.1
10
20
30
40
300
70
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
100
18
20
2380 2390
14.4
14.3
2380 2390
35.5
33
1250 mA
10
60
1
1
I
DQ
= 500 mA
1000 mA
750 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355
MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1500 mA
1250 mA
17
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.), I
DQ
= 1000 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 40 W (Avg.), I
DQ
= 1000 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S23100Hxx | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100HSR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23140HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S24140HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S27015GNR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23100HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HXX | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Dield Effect Transistors |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。