參數(shù)資料
型號： MRF6S23100HSR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Dield Effect Transistors
中文描述： 射頻功率Dield場效應晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 416K
代理商： MRF6S23100HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
f
MHz
Z
source
Z
load
2300
2310
2320
2330
2340
2350
2360
2370
2.06 - j4.69
2.04 - j4.62
2.02 - j4.55
2.01 - j4.48
1.99 - j4.42
1.97 - j4.35
1.96 - j4.28
1.94 - j4.22
12.20 - j6.20
12.06 - j6.40
11.91 - j6.56
11.76 - j6.71
11.60 - j6.86
11.44 - j7.00
11.27 - j7.13
11.10 - j7.22
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 20 W Avg.
Z
o
= 25
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 2400 MHz
f = 2300 MHz
2380
2390
2400
1.93 - j4.15
1.91 - j4.09
1.90 - j4.02
10.92 - j7.34
10.73 - j7.46
10.55 - j7.53
f = 2300 MHz
f = 2400 MHz
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