參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S23100Hxx
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Dield Effect Transistors
中文描述： 射頻功率Dield場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 416K
代理商： MRF6S23100HXX
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S23100HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.329
″
x 0.756
″
Microstrip
0.083
″
x 0.756
″
Microstrip
0.092
″
x 0.800
″
Microstrip
0.436
″
x 0.800
″
Microstrip
0.974
″
x 0.080
″
Microstrip
0.727
″
x 0.080
″
Microstrip
Arlon GX-0300-5022, 0.030
″
,
ε
r
= 2.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.725
″
x 0.080
″
Microstrip
0.240
″
x 0.080
″
Microstrip
0.110
″
x 0.240
″
Microstrip
0.140
″
x 0.080
″
Microstrip
0.167
″
x 0.500
″
Microstrip
0.130
″
x 0.080
″
Microstrip
0.250
″
x 0.611
″
Microstrip
0.060
″
x 0.080
″
Microstrip
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C11
Z1
Z6
Z7
Z8
C1
C7
Z9
Z11
Z12
Z13
Z14
R1
C12
+
C6
+
B1
C10
C9
C8
Z10
Z2
Z3
Z4
Z5
C5
+
C4
C3
C2
Table 5. MRF6S23100HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
B1
Ferrite Bead
C1, C2, C7, C8
5.6 pF Chip Capacitors, B Case
C3
0.01
μ
F Chip Capacitor (1825)
C4, C9
2.2
μ
F, 50 V Chip Capacitors (1825)
C5
22
μ
F, 25 V Tantalum Capacitor
C6
47
μ
F, 16 V Tantalum Capacitor
C10, C11
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors (2220)
C12
330
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor
R1
10
, 1/8 W Chip Resistor (1206)
Description
Part Number
Manufacturer
Fair-Rite
ATC
Kemet
Kemet
Panasonic TE series
Kemet
Murata
Nippon
Dale/Vishay
2743019447
100B5R6CP500X
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
ECS-T1ED226R
T491D476K016AS
GRM55DR61H106KA88B
NACZF331M63V
CRC120610R0F100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S23100HSR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S24140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S27015GNR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S27085HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S23140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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