參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S23140HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MRF6S23140HR3
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
300
11
17
0.5
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1300 mA
f = 2350 MHz
T
C
= 30 C
25 C
30 C
100
10
16
15
14
13
12
50
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
η
D
,
η
D
G
ps
G
p
,
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
250
11
16
0
200
50
12
100
150
14
13
15
I
DQ
= 1300 mA
f = 2350 MHz
85 C
25 C
85 C
20
V
24
V
28
V
32
V
210
10
10
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
9
10
8
10
7
110
130
150
170
190
M
2
)
100
120
140
160
180
200
1
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PDF描述
MRF6S24140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S27015GNR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
MRF6S23140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF6S24140H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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