參數(shù)資料
型號： MRF6S9045
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MRF6S9045
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
30
25
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 10 Watts Avg.
900
890
880
870
860
21
23
22.8
70
35
34
33
50
55
60
η
D
,
E
η
D
22.6
22.4
22.2
22
21.8
45
ALT1
20
15
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
21.6
21.4
21.2
32
31
65
10
G
p
,
I
A
30
910
850
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts Avg.
900
890
880
870
860
20.8
22.6
22.4
60
48
47
40
45
50
η
D
,
E
22.2
22
21.8
21.6
21.4
35
25
20
5
21.2
21
46
45
55
15
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
19
24
I
DQ
= 520 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22
20
10
G
p
,23
21
475 mA
350 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
275 mA
175 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
70
40
I
I
I
DQ
= 175 mA
275 mA
50
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
520 mA
350 mA
10
0.5
60
IRL
G
ps
ACPR
η
D
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
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PDF描述
MRF6S9045MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MR1 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
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參數(shù)描述
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MRF6S9045N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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