- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359218 > MRF6S9045N (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司) RF Power Field Effect Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S9045N |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 639K |
| 代理商： | MRF6S9045N |
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
ο
hm system)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, P
out
= 16 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
G
ps
—
20
—
dB
Drain Efficiency
η
D
—
46
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.5
—
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-62
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc,
I
DQ
= 350 mA, P
out
= 45 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
20
—
dB
Drain Efficiency
—
68
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
—
52
—
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9045 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045MR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S9045NBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9045NR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9045NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S9060 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9060MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。