參數(shù)資料
型號： MRF6S9045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 530K
代理商： MRF6S9045NR1
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
100
I
50
60
70
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
70
0
0.05
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
5th Order
10
20
30
40
50
60
1
100
I
0.1
3rd Order
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W (PEP), I
DQ
= 350 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
33
54
P3dB = 48.6 dBm (72.44 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
52
50
48
44
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
P1dB = 48.2 dBm (66.07 W)
53
49
51
47
30
32
23
P
o
,
46
45
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
85
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
25
50
35
40
45
30
55
10
75
1
10
65
20
ALT1
η
D
G
ps
T
C
= 25 C
85 C
ACPR
η
D
,
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
A
A
30 C
25 C
25 C
30 C
25 C
85 C
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9045NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MR1 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
MRF6S9060 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S9060N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk
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