參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9060MR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 533K
代理商： MRF6S9060MR1
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
ο
hm system)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA, P
out
= 21 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
G
ps
η
D
—
20
—
dB
Drain Efficiency
—
46
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.5
—
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-62
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc,
I
DQ
= 500 mA, P
out
= 60 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
G
ps
—
20
—
dB
Drain Efficiency
η
D
—
63
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
—
67
—
W
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PDF描述
MRF6S9060 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S9125NR1_06 RF Power Field Effect Transistors
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