參數(shù)資料
型號: MRF6S9060MR1
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
中文描述: 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù): 7/16頁
文件大小: 533K
代理商: MRF6S9060MR1
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
300
I
50
60
70
100
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
70
0
0.05
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (PEP)
I
DQ
= 450 mA, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
5th Order
10
20
30
40
50
60
1
300
I
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
34
56
55
23
P3dB = 50 dBm (150 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
54
52
50
48
47
44
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
P1dB = 49.1 dBm (100 W)
53
49
51
30
32
33
22
P
o
,
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
5
85
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
55
25
45
35
35
45
25
55
5
75
1
10
65
15
ALT1
η
D
G
ps
T
C
= 25 C
85 C
ACPR
η
D
,
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
A
A
0.1
100
3rd Order
46
45
30 C
25 C
25 C30 C
25 C
85 C
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PDF描述
MRF6S9060 RF Power Field Effect Transistors
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