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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6VP3450HSR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1077K |
| 代理商： | MRF6VP3450HSR6 |
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MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA =25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Pulsed Performances (In Freescale Broadband Test Fixture, 50 ohm system) VDD =50 Vdc, IDQ = 1200 mA, Pout = 520 W,
f = 470--860 MHz, 50 μsec Pulse Width, 2.5% Duty Cycle
Power Gain
Gps
—
20.5
—
dB
Drain Efficiency
ηD
—
50
—
%
Input Return Loss
IRL
—
--3
—
dB
Pout @ 1 dB Compression Point, Pulsed CW
(f = 470--860 MHz)
P1dB
—
520
—
W
Typical Two--Tone Performances (In Freescale Broadband Test Fixture, 50 ohm system) VDD =50 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pout = 450 W PEP,
f = 470--860 MHz, 100 kHz Tone Spacing
Power Gain
Gps
—
22
—
dB
Drain Efficiency
ηD
—
44
—
%
Intermodulation Distortion
IM3
—
--29
—
dBc
Input Return Loss
IRL
—
--2
—
dB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KHSR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7P20040HR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7P20040HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S15100HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S15100HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |
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