參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6VP3450HSR6
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/18頁(yè)
文件大小： 1077K
代理商： MRF6VP3450HSR6
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — 470--860 MHz
1000
17
23
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 19. Broadband Pulsed Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power — 470--860 MHz
VDD =50 Vdc,IDQ = 1200 mA
Pulse Width = 50 μsec, Duty Cycle = 2.5%
100
10
22
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
Gps
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
22.5
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
P1dB
(W
AT
TS
)
450
600
500
860
470
P1dB
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Frequency at P1dB — 470--860 MHz
27
25
20
70
60
40
30
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
22
21
18
17
26
24
23
50
700
550
AC
PR
,A
DJ
AC
EN
T
CH
AN
NE
L
POWER
RA
TIO
(d
Bc)
Figure 21. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power — 470--860 MHz
0--75
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
--50
30
15
--60
100
--65
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
),
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
Gps
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
35
3
300
20
ηD
860 MHz
20
19
650
25
ACPR
860 MHz
VDD =50 Vdc,Pout = P1dB, IDQ = 1200 mA
Pulse Width = 50 μsec, Duty Cycle = 2.5%
21
21.5
20
20.5
19
19.5
18
18.5
17.5
10
665 MHz
470 MHz
860 MHz
665 MHz
470 MHz
500 530 560 590 620 650 680 710 740 770 800 830
40
5
10
45
10
--55
--70
470 MHz
665 MHz
470 MHz
860 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6VP41KHSR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7P20040HR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7P20040HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S15100HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S15100HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF6VP41KH 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6VP41KHR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP41KHR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP41KHR7 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP41KHR7 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05
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