參數(shù)資料
型號： MRF7P20040HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN
文件頁數(shù)： 16/16頁
文件大?。?/td> 488K
代理商： MRF7P20040HR3
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
25
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =32 Vdc,IDQA = 150 mA, Pulsed CW 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
44
42
27
26
Actual
Ideal
45
43
39
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 32 V
46
47
48
49
24
23
22
17
21
18
f = 2025 MHz
f = 2010 MHz
20
19
41
40
f = 2025 MHz
f = 2010 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2010
26
44.1
31
44.9
2025
26
44.2
31
44.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2010
P1dB
2.49 -- j18.56
15.82 -- j0.28
2025
P1dB
2.66 -- j19.78
15.78 + j0.52
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 32 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
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PDF描述
MRF7P20040HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF7S16150HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF7P20040HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7P20040HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S15100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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