參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7P20040HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 488K
代理商： MRF7P20040HR3
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7P20040HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S15100HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S15100HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S16150HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S16150HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7P20040HR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF7P20040HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2GHZ 40W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7P20040HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7P20040HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S15100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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