參數資料
型號： MRF9511LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CAP CERAMIC 5.1PF 25V C0G 0201
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318A-05, 4 PIN
文件頁數： 14/16頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： MRF9511LT1
MMBR951 MRF957 MRF9511 SERIES
14
MOTOROLA RF DEVICE DATA
MRF957T1
VCE
(Vdc)
IC
f
S11
S21
S12
S22
(mA)
(MHz)
|S11|
0.965
0.931
0.835
0.694
0.583
0.615
∠
φ
|S21|
3.508
3.495
2.680
1.820
1.133
0.813
∠
φ
|S12|
0.035
0.065
0.122
0.143
0.115
0.182
∠
φ
|S22|
0.990
0.958
0.839
0.713
0.629
0.565
∠
φ
5.0
1.0
100
200
500
1000
2000
3000
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–
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67.35
53.19
78.18
71.66
48.12
33.67
50.88
85.71
–6.80
–13.35
–25.23
–35.51
–44.48
–55.47
2.0
100
200
500
1000
2000
3000
0.932
0.875
0.726
0.582
0.483
0.515
–22.38
–44.00
–89.77
–131.10
–176.30
–
146.92
6.532
6.217
4.314
2.638
1.544
1.117
164.05
150.00
119.58
93.76
67.35
52.27
0.034
0.061
0.106
0.122
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67.15
47.42
41.23
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–
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–
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107.93
88.06
67.58
53.59
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61.40
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–
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67.54
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0.305
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–48.64
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–41.09
–39.38
30
100
200
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1000
2000
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0.305
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–37.70
–49.28
–48.58
–46.64
–40.63
–38.73
Table 4. MRF957T1 Typical Common Emitter S–Parameters (continued)
相關PDF資料
PDF描述
MRF957T1 NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MRF9820T1 SURFACE MOUNT LOW NOISE ENHANCEMENT MODE GaAs CASCODE
MRF9822T1 HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT
MRFG35003MT1 The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRFIC0001 QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
相關代理商/技術參數
參數描述
MRF951V2 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V3 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V4 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MRF957 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MRF957T1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
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