參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003MT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 344K
代理商： MRFG35003MT1
1
MRFG35003MT1
Motorola, Inc. 2003
The RF GaAs Line
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 55 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 300 mWatt
Power Gain — 11.5 dB
Efficiency — 25%
3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
8.1
(2)
0.05
(2)
Watts
W/
°
C
Gate–Source Voltage
V
GS
– 5
Vdc
RF Input Power
P
in
29
dBm
Storage Temperature Range
T
stg
– 65 to +150
°
C
Channel Temperature
(1)
T
ch
175
°
C
Operating Case Temperature Range
T
C
– 20 to +85
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class AB
R
θ
JC
18.5
(2)
°
C/W
MOISTURE SENSITIVITY LEVEL
Test Methodology
Rating
Per JESD 22–A113
1
(1) For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150
°
C.
(2) Simulated.
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by MRFG35003MT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
3.5 GHz, 3 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
CASE 466–02, STYLE 1
PLD–1.5
PLASTIC
REV 0
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRFG35005ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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